Lagring på minne av plast

Forskare från koreanska Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) har utvecklat en helt ny typ av böjliga, stabila minnen av RRAM-typ (non-volatile Reisistive Random Access Memory). Tekniken har gjort att man fått fram ett stabilt lagringsminne som går att använda för böjliga system som elektroniskt papper, flexibla skärmar, kläder och annan konsumentelektronik som kräver låga kostnader och tjänar på stora volymer.

Tidigare försök att skapa flexibla plastsubstrat-minnen av den här typen har misslyckats, då forskarna inte kunnat övervinna störningar mellan minnesceller som uppstått på grund av materialegenskaperna. Bland annat har Linköpingsbolaget Thin Film utvecklat ett plastminne i samarbete med Intel. För att lösa problemet, har KAIST-forskarna kombinerat minneselement med så kallade singelkristall-transistorer av hög kapacitet med memristorer istället för vanliga transistorer. I memristorer sker regleringen av resistans på molekylnivå och komponenternas egenskaper varierar för starkare och svagare strömmar.

Det är ännu oklart när tekniken kan komma att få ett kommersiellt genombrott, men den nya minnestypen kan komma få en stor betydelse för bland mobil elektronik som byggs in både i kläder och i människokroppen.