Samsung uppges ha problem med nästa generations kretsar

Samsung uppges ha så allvarliga problem med utvecklingen av kretsar på 3nm att det kan komma att påverka företagets massproduktion av framtida kretsar och enheter. Det uppger den koreanska publikationen Businesspost. Det är Samsung Foundries som har problem med övergången från 4nm till 3nm, vars kretsar man troligtvis har för avsikt att använda i företagets egna Exynos-kretsar och då eventuellt i en efterföljare till deras nuvarande Exynos 2000.

En av orsakerna kan vara att Samsung har valt att lägga sig i täten för en kretsdesign som kallas GAAFET (Gate all around FET), en ny typ av transistordesign som i förlängningen kommer att göra det möjligt att gå bortanför 3nm. Den befintliga designen FINFET medför fysiska begränsningar i transistordesignen när man går bortanför etablerade 4nm. Då GAAFET kräver en helt ny grundarkitektur kan det vara där problemen uppstår, Intel har tidigare testat den typen av design för 7nm och fick då liknande problem.