-
PLUS
Krönika: När en mobiltelefon förtjänar en allvarlig varning
-
PLUS
Mobil svarar: Uppdateringskrav, Doro-kritik, bättre ljud, Huawei-alternativ och mer
-
PLUS
Krönika: Att bryta dominans med bättre som inte är dyrare
-
PLUS
Upptäck alla möjligheter med din Garmin-klocka – Våra bästa tips del 2
-
PLUS
Krönika: Apple Watch i Android väcker drömmen
-
PLUS
Upptäck alla möjligheter med din Garmin-klocka – Våra bästa tips del 1
-
PLUS
Krönika: Alla kan inte köpa begagnat
-
PLUS
7 viktigaste nyheterna som kommer till Iphone, Ipad och Apple Watch
-
PLUS
Sju mobiltips för semestern – mer uppkopplad, billigare, smartare
-
PLUS
Krönika: Mobiltillverkarna låter andra göra jobbet
Produktionsproblematik
Samsung uppges ha problem med nästa generations kretsar
Problem med tillverkningen i 3 nanometersteknik kan ge Samsung problem med nya kretsar.
Samsung uppges ha så allvarliga problem med utvecklingen av kretsar på 3nm att det kan komma att påverka företagets massproduktion av framtida kretsar och enheter. Det uppger den koreanska publikationen Businesspost. Det är Samsung Foundries som har problem med övergången från 4nm till 3nm, vars kretsar man troligtvis har för avsikt att använda i företagets egna Exynos-kretsar och då eventuellt i en efterföljare till deras nuvarande Exynos 2000.
En av orsakerna kan vara att Samsung har valt att lägga sig i täten för en kretsdesign som kallas GAAFET (Gate all around FET), en ny typ av transistordesign som i förlängningen kommer att göra det möjligt att gå bortanför 3nm. Den befintliga designen FINFET medför fysiska begränsningar i transistordesignen när man går bortanför etablerade 4nm. Då GAAFET kräver en helt ny grundarkitektur kan det vara där problemen uppstår, Intel har tidigare testat den typen av design för 7nm och fick då liknande problem.